晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：80V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：1W 集电极截止电流(Icbo)：1uA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：200mV@500mA,25mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：120@100mA,3V 特征频率(fT)：340MHz 工作温度：+150℃@(Tj)